簡要描述:PZT薄膜-外延鐵電薄膜采用離軸射頻磁控濺射法在不同襯底上外延生長鐵電PZT薄膜。外延鐵電薄膜具有高的結(jié)構(gòu)質(zhì)量,包括具有非常低波紋的表面和良好的鐵電性能。這種薄膜是鐵電疇納米級研究的理想選擇,即使用AFM可以讀取和寫入具有反向極化的鐵電區(qū)域。
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品牌 | 其他品牌 | 供貨周期 | 一個月 |
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應(yīng)用領(lǐng)域 | 化工,能源,電子,綜合 |
PZT薄膜-外延鐵電薄膜采用離軸射頻磁控濺射法在不同襯底上外延生長鐵電PZT薄膜。
外延鐵電薄膜具有高的結(jié)構(gòu)質(zhì)量,包括具有非常低波紋的表面和良好的鐵電性能。
這種薄膜是鐵電疇納米級研究的理想選擇,即使用AFM可以讀取和寫入具有反向極化的鐵電區(qū)域。
Order # | Product | Substrate: 10 x 10 mm2 | PZT thickness (nm) |
LS10020010 | PZT2080 | 1.0at%Nb-SrTiO3 (conducting) | 10 |
LS10020011 | PZT2080 | 1.0at%Nb-SrTiO3 (conducting) | 50 |
LS10020012 | PZT2080 | 1.0at%Nb-SrTiO3 (conducting) | 100 |
LS10020013 | PZT2080 | SrTiO3 (insulating) | 10 |
LS10020014 | PZT2080 | SrTiO3 (insulating) | 50 |
LS10020015 | PZT2080 | SrTiO3 (insulating) | 100 |
鐵電薄膜材料由于其*的鐵電、壓電、介電、光電等電學(xué)性能,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于制備鐵電存儲器、薄膜電容器和微納傳感器等集成鐵電器件。其中,Pb(ZrTi)O3 (PZT) 由于具有優(yōu)異的電學(xué)性能一直是商用鐵電和壓電材料的理想選擇。
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